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エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第1問
ページング方式の仮想記憶において、ページ置換えアルゴリズムにLRU方式を採用した場合、ページの参照順序が1、2、3、2、3、1、4、2、4、3、1であるプログラムを実行するとき、ページの読込みは何回発生するか。ここで、主記憶のページ枠は3で、初期状態では主記憶にどのページも存在しないものとする。

エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第2問
ディジタルフォレンジクスの説明として、適切なものはどれか。

エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第3問
ZigBeeの説明として、適切なものはどれか。

エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第4問
DNSキャッシュポイズニングに分類される攻撃内容はどれか。

エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第5問
MISRA-Cの説明として、適切なものはどれか。

エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第6問
ある会社におけるウォータフォールモデルによるシステム開発の標準では、開発工程ごとの工数比率を表1のとおりに配分することになっている。全体工数が40人月と見積もられるシステム開発に対し、表2に示す開発要員数を割り当てることになった。このシステム開発に要する期間は何か月になるか。

エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第7問
ITサービスマネジメントにおける回避策(ワークアラウンド)の説明として、適切なものはどれか。

エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第8問
CSMA/CD方式に関する記述として、適切なものはどれか。

エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第9問
ページング方式の仮想記憶において、ページフォールト発生時の動作状況が次の場合に、主記憶の平均アクセス時間が最も改善される対策はどれか。

[ページフォールト発生時の動作状況]
(1)主記憶アクセス1回の時間は200ナノ秒である。
(2)主記憶アクセス200万回に1回の割合でページフォールトが発生する。
(3)ページフォールト1回あたり600ミリ秒のオーバヘッドを伴う。

エンベデッドシステムスペシャリスト(ES) の 10問
第10問
半導体製造プロセスが微細化することによって問題となってきたリーク電流の低減手段として、適切なものはどれか。

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